存儲芯片漲價潮愈演愈烈，被日美韓壟斷的儲存芯片，國產(chǎn)貨何時壓得住場

存儲芯片漲價潮大有愈演愈烈的態(tài)勢。多項(xiàng)存儲芯片都已經(jīng)/即將漲價，包括DRAM及非易失性存儲芯片NAND閃存、EEPROM。

1、NAND閃存方面，漲價潮源頭在于西部數(shù)據(jù)與鎧俠合資廠污染事件。

    美光、西部數(shù)據(jù)兩家存儲龍頭已雙雙宣布，全線漲價；群聯(lián)也表示將跟進(jìn)漲價。值得注意的是，美光并未受污染事件波及，但公司卻是目前已知價格漲幅最高的廠商。業(yè)界人士認(rèn)為，由于合約價是每月商議，美光本次漲價幾乎是實(shí)時生效，預(yù)計本月初就將全面反映。本輪漲價潮中，NAND閃存各型號均已提價。其中，64Gb 8Gx8 MLC閃存合約漲幅最大，且價格已創(chuàng)下三年來新高。還有業(yè)內(nèi)人士表示，短期來看，新一輪漲價潮才剛剛開始，持續(xù)時間至少三個月。聚辰股份、普冉股份雙雙公布調(diào)研紀(jì)要，拜訪機(jī)構(gòu)均超過百家，且調(diào)研日期均為業(yè)績快報公布后的次交易日。其中，聚辰股份去年扣非凈利潤同比增長超40%，增長主因之一為“適當(dāng)調(diào)整產(chǎn)品價格體系”；普冉股份已從今年1月起，調(diào)漲攝像頭模組系列EEPROM產(chǎn)品價格，同時對EEPROM價格保持謹(jǐn)慎偏樂觀的態(tài)度。

    DRAM價格也在“蠢蠢欲動”。2月利基型DRAM合約價環(huán)比上漲2%-5％，其中，關(guān)鍵的x16規(guī)格4Gb DDR3顆粒、x16規(guī)模2Gb DDR3顆粒合約價均創(chuàng)下近5個月來新高。臺灣工商時報指出，由于供給吃緊，利基型DRAM合約價漲勢有望延續(xù)到下半年。值得注意的是，今早半導(dǎo)體板塊震蕩走強(qiáng)，其中兆易創(chuàng)新、北京君正等多只存儲芯片個股盤中漲幅超過5%。

2、車規(guī)級應(yīng)用成共同拓展方向

    隨著價格一同攀升的，還有汽車智能化、電動化帶來的存儲需求。A股汽車存儲龍頭北京君正預(yù)計去年實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤8.08-9.84億元，同比增長1004%-1245%；Q4單季度實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤1.7-3.5億元，環(huán)比增長-38.4%-24.6%，同比增長240.3%-587.5%。業(yè)績增長的一大驅(qū)動力便是汽車終端需求拉動存儲芯片放量，汽車電子領(lǐng)域收入持續(xù)增長。另外，多家企業(yè)已展開相應(yīng)布局。東芯股份日前接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時透露，在車規(guī)級產(chǎn)品方面，公司在NAND、NOR、LPDDR產(chǎn)品上均有布局。車規(guī)的驗(yàn)證過程比較長，從產(chǎn)品端已經(jīng)開始做嘗試。另外，公司也在推進(jìn)與車規(guī)平臺企業(yè)及車規(guī)電子集成商合作，建立了定期工作機(jī)制。目前車規(guī)類產(chǎn)品順利推進(jìn)。目前已可為客戶提供車規(guī)NAND和NOR樣品。

3、中國廠商加速擴(kuò)產(chǎn)

    存儲芯片應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，常見的電子設(shè)備基本都需使用存儲芯片，從存儲芯片細(xì)分產(chǎn)品來看，DRAM和NAND Flash占據(jù)了存儲芯片95%以上的市場份額。中國是全球存儲芯片最大市場。據(jù)報道，中國一年3000億美元的芯片進(jìn)口額中，有超過800億美元為采購內(nèi)存芯片，包括DRAM芯片和NAND Flash芯片。在國際競爭格局上，存儲芯片長期被韓、日、美等國企業(yè)壟斷。其中在DRAM領(lǐng)域，三星、SK海力士及美光占據(jù)主導(dǎo)地位。2021年第三季度全球DRAM市占率方面，三星以44%位居第一；SK海力士在出貨減少的情況下略微縮減至27.2%，而美光小幅上升至22.9%，上述三大巨頭的市場占有率總計超過94%。NAND Flash領(lǐng)域，三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、海力士、英特爾為行業(yè)龍頭。據(jù)民生證券7月統(tǒng)計，中國是全球第二大NAND Flash市場，占比超過31%，但本土供應(yīng)市占率不足1%。11月18日，時創(chuàng)意董事長倪黃忠在接受時代周報記者采訪時表示，中國存儲芯片行業(yè)起步較晚，此前，在DRAM和NAND Flash領(lǐng)域均沒有國內(nèi)廠商，近年來，以長江存儲、長鑫存儲為代表的國內(nèi)龍頭廠商開始崛起。“作為閃存行業(yè)的新人，長江存儲用三年時間實(shí)現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越。”長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊表示，去年4月，長江存儲宣布128層QLC 3D NAND 閃存研發(fā)成功。中信證券在研報中稱，長江存儲是國內(nèi)3D NAND Flash 存儲器頭部廠商，一期項(xiàng)目于2019年產(chǎn)能達(dá)到2萬片/月，2020年擴(kuò)產(chǎn)至5萬片/月以上水平，預(yù)計一期項(xiàng)目未來將達(dá)到10萬片/月產(chǎn)能，另外二期土建已于2020年6月開工，兩期產(chǎn)能規(guī)劃共30萬片/月。長鑫存儲作為國內(nèi)DRAM存儲器龍頭，三期總產(chǎn)能規(guī)劃37.5萬片/月。中信證券預(yù)計，其產(chǎn)能將從2021年初4萬片/月擴(kuò)張至2022-2023年12.5萬片/月，同時2022-2023年有望啟動二期建設(shè)（12.5萬片/月）。

4、國產(chǎn)芯片向高端進(jìn)階

    對存儲廠商而言，跑得夠不夠快是一個需要持續(xù)思考的問題。

    以DRAM為例，由于DRAM的制程微縮已經(jīng)逐漸面臨物理極限，在20nm制程以后，除了美光（Micron）1αnm仍有近30%的單晶圓位元增長外，其他從1Xnm轉(zhuǎn)至1Ynm、或者1Ynm轉(zhuǎn)至1Znm制程，增長率已收縮至15%以內(nèi)。

    華存電子技術(shù)總工程師魏智汎告訴時代周報記者，近幾年，國內(nèi)外企業(yè)級存儲主控芯片市場發(fā)展迅速，競爭激烈，華存電子不僅要面對英特爾、三星、美光等閃存原廠，還要面對美滿電子、Microsemi等傳統(tǒng)主控大廠的競爭。國產(chǎn)存儲芯片必須從低端向高端進(jìn)階。東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳磊表示，作為本土芯片供應(yīng)商，東芯半導(dǎo)體目前40%以上的員工都是研發(fā)工程師，通過自主的產(chǎn)品設(shè)計，以及與國內(nèi)晶圓廠和封裝測試廠的合作，已經(jīng)打造出一條本土供應(yīng)鏈體系。在市場層面，5G、汽車電子、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)及新興市場，給存儲芯片帶來旺盛需求，也對產(chǎn)品性能提出新要求，包括精進(jìn)工藝制程、提升產(chǎn)品可靠性、縮小封裝尺寸等，促使產(chǎn)品快速迭代。這也對整個產(chǎn)業(yè)鏈提出新要求。倪黃忠表示，1.0時代，模組廠商只能做一些簡單的加工測試，開發(fā)能力較弱，產(chǎn)品以Micro SD卡、U盤等為主；2.0時代，模組廠商成為產(chǎn)品和技術(shù)的跟隨者，在行業(yè)內(nèi)有一定知名度，但銷售依然難突破；步入3.0時代，模組廠商要從芯片硬件到軟件、固件的開發(fā)，延展到系統(tǒng)級開發(fā)以及整個設(shè)備自動化產(chǎn)線進(jìn)行改造，有全面的技術(shù)開發(fā)能力。

    “雖然摩爾定律在半導(dǎo)體的很多領(lǐng)域受到了挑戰(zhàn)，但在閃存這個領(lǐng)域還在繼續(xù)發(fā)揮作用?！蔽鞑繑?shù)據(jù)副總裁兼中國區(qū)業(yè)務(wù)總經(jīng)理劉鋼介紹，摩爾定律作用下，閃存密度和性能迅速提高，資本效率也大幅增加。劉鋼分析，摩爾定律在閃存領(lǐng)域有三個維度可以發(fā)揮作用：一是線寬，在同一層中橫向提高密度；二是堆疊，在縱向上發(fā)展；三是在同一單元里通過改變邏輯單元的設(shè)定，從原來的SLC（Single-Level Cell，單層式存儲單元）到MLC（Multi-Level Cell，雙層式存儲單元）、TLC（Trinary-Level Cell，三層式存儲單元）、QLC（Quad-Level Cell，四層式存儲單元），在每個單元都可以增長。雖然，當(dāng)前存儲芯片市場主要由海外巨頭公司掌握，國產(chǎn)公司處于相對落后狀態(tài)，但國產(chǎn)存儲芯片已在各個細(xì)分行業(yè)展開追趕，并獲得顯著進(jìn)展。“本土存儲廠商正奮起直追，企業(yè)之間形成了密切且相互依存的產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈，國產(chǎn)替代正當(dāng)時。”陳磊表示。



文章來源： 科創(chuàng)板日報，時代周報

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